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打破近30年記錄!哈工大金剛石半導體器件重大突破

打破近30年記錄!哈工大金剛石半導體器件重大突破
打破近30年記錄!哈工大金剛石半導體器件重大突破
打破近30年記錄!哈工大金剛石半導體器件重大突破

單片集成(cheng)互補邏(luo)輯電(dian)路(lu)與高速光(guang)互聯建立(li)在無(wu)數金屬-半導體接(jie)觸基礎之上,而低(di)電(dian)阻且耐久的歐姆(mu)接(jie)觸是制約超寬禁帶(dai)半導體光(guang)電(dian)子器(qi)件性能(neng)與應用的一大因素。近(jin)日,哈(ha)工大紅外薄膜與晶(jing)...

日期 2024-10-09   

金剛石半導體(ti)器(qi)件(jian)的研究進展

金剛石半導體器件的研究進展
金剛石半導體器件的研究進展
金剛石半導體器件的研究進展

摘要:金(jin)剛(gang)石因(yin)其優異的物理(li)化學特性(xing),被(bei)視為下一代電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子器件(jian)的終(zhong)極材料,金(jin)剛(gang)石半導體器件(jian)的制備(bei)受到了科研工作者(zhe)的廣泛關(guan)注?文章對金(jin)剛(gang)石基二(er)極管?開關(guan)器件(jian)和邊(bian)緣終(zhong)止效(xiao)應等(deng)...

日期 2021-08-10   

我國第三代半導(dao)體(ti)器(qi)件制備及評價技術取得突破

氮化鎵(jia)(GaN)和碳化硅(SiC)為(wei)代表的第(di)三(san)代半導體材料,具(ju)備高(gao)擊穿電場、高(gao)熱導率、高(gao)電子(zi)飽和速率及抗強輻(fu)射能力等優(you)異性能,更(geng)適合于制作高(gao)溫、高(gao)頻、抗輻(fu)射及大功率電子(zi)...

日期 2018-09-03   

日本制成耐2萬伏超高壓的半導體器(qi)件(jian)

日(ri)本京都大學工學院須田淳準教(jiao)授和木(mu)本恒(heng)暢教(jiao)授的(de)(de)研究組近日(ri)利用碳化硅(gui)(SiC)材料成(cheng)功開發出(chu)可耐2萬(wan)伏超(chao)高壓的(de)(de)半導體器件(jian)。10月23日(ri)該(gai)研究組宣布(bu)了(le)這一(yi)消息(xi)。該(gai)研究小組于...

日期 2012-11-15   

碳化硅將領航新型功率半(ban)導體器(qi)件材料

自(zi)上世紀80年代開(kai)始,高頻(pin)化和軟開(kai)關技(ji)術的開(kai)發研(yan)究(jiu),使功率變換器性能更好、重(zhong)量更輕、尺(chi)寸更小(xiao)。高頻(pin)化和軟開(kai)關技(ji)術是過去20年國(guo)際電力(li)電子界研(yan)究(jiu)的熱點之一(yi)。上世紀90年代...

日期 2007-10-25   
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中國人造金剛石誕生60周年

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1963年,我國成功研(yan)制出第(di)一顆(ke)人造金(jin)剛(gang)石,經過幾代人的(de)(de)(de)(de)拼搏奮斗,實現了從(cong)無(wu)到(dao)有、從(cong)小到(dao)大(da)、從(cong)弱到(dao)強(qiang)的(de)(de)(de)(de)華麗蝶變。人造金(jin)剛(gang)石及其制品在我國航(hang)空航(hang)天(tian)、國防軍工(gong)、機床(chuang)機械等(deng)領(ling)域發揮(hui)著愈發重要的(de)(de)(de)(de)作用。不僅如(ru)此,隨著金(jin)剛(gang)石技術的(de)(de)(de)(de)選代,金(jin)剛(gang)石民用領(ling)域—培育(yu)鉆石迎來了自(zi)己的(de)(de)(de)(de)大(da)爆發,中國占據了世界培育(yu)鉆石產量的(de)(de)(de)(de)80%以上,近幾年在國際上產生了巨大(da)影響力(li)。