深圳鉆耐科思科技有限公司(簡稱「鉆耐科思」或「DiamNEX」)于近日完成數千萬元天使輪融資,由海明潤、領(ling)匯(hui)創投(tou)共同領(ling)投(tou),相關產業(ye)方(fang)跟投(tou)。本輪融(rong)資(zi)資(zi)金將(jiang)主要用于(yu)產品研發、產線建設(she)及(ji)團隊(dui)擴充(chong)。
「鉆耐科思」成立于2025年,由香港大學孵化,創始人褚智勤為香港大學電機與電子工程系副教授,核心成果為全球首創的、用于制備金剛石薄(bo)膜(mo)的“邊緣暴露剝離(li)法”。通過“生長(chang)-切(qie)口-機械剝離(li)”三步法,公司(si)成(cheng)功制備(bei)了晶(jing)圓級尺寸、超平整、超薄(bo)的多晶(jing)金剛(gang)石薄(bo)膜(mo),其導熱性能(neng)接近單(dan)晶(jing)金剛(gang)石。相(xiang)較傳統(tong)方(fang)法,“邊緣暴露剝離(li)法”能(neng)極大提升(sheng)金剛(gang)石薄(bo)膜(mo)的生產效率,降低生產成(cheng)本。該技(ji)術(shu)已獲得第49屆日內瓦國際發明展金獎,相(xiang)關學術(shu)成(cheng)果(guo)也已于2024年12月發表在《Nature》期刊(kan)上。
以往制備(bei)金(jin)剛(gang)石(shi)(shi)薄(bo)膜(mo)(mo),需要先使用CVD或(huo)HPHT法(fa)生(sheng)成塊狀金(jin)剛(gang)石(shi)(shi),再(zai)通過研(yan)磨、切(qie)割(ge)等手段(duan)獲得(de)(de)薄(bo)膜(mo)(mo),但因金(jin)剛(gang)石(shi)(shi)材料的(de)(de)硬度極(ji)高,切(qie)割(ge)研(yan)磨非常困難(nan),耗時久、易碎裂(lie),導致制備(bei)良率低(di)且成本(ben)高昂,難(nan)以兼(jian)容(rong)現有半導體工藝。據褚教授介紹,“與傳統方法(fa)不同,公司首創(chuang)的(de)(de)‘邊緣(yuan)暴(bao)露剝(bo)(bo)離法(fa)’是(shi)直接生(sheng)長金(jin)剛(gang)石(shi)(shi)薄(bo)片(pian),再(zai)通過機(ji)械(xie)手段(duan)進行剝(bo)(bo)離,利用金(jin)剛(gang)石(shi)(shi)生(sheng)長面平整度超高的(de)(de)特性,一步到位(wei)獲得(de)(de)可(ke)兼(jian)容(rong)現有半導體工藝的(de)(de)金(jin)剛(gang)石(shi)(shi)薄(bo)膜(mo)(mo),從(cong)而大(da)幅降低(di)生(sheng)產的(de)(de)時間(jian)與成本(ben)。”
褚(chu)教授表示,工業領域(yu)的(de)熱(re)管理是金剛石(shi)(shi)薄(bo)膜材(cai)料(liao)當下最重要的(de)應用場(chang)(chang)景。事實上,隨著現代(dai)電子設備(bei)的(de)微型化、集成(cheng)化和高性能(neng)化,功率密度的(de)增加使得設備(bei)通道中出現嚴重的(de)熱(re)量堆(dui)積(ji),溫度的(de)提升(sheng)進(jin)而會導(dao)致設備(bei)性能(neng)的(de)下降乃(nai)至器件(jian)的(de)失效。尤(you)其(qi)在(zai)(zai)高性能(neng)計算、生成(cheng)式AI等(deng)前(qian)沿場(chang)(chang)景,服(fu)務器已經被推向每秒兆(zhao)瓦級發(fa)熱(re)的(de)新極限。由(you)于金剛石(shi)(shi)薄(bo)膜具有超高熱(re)導(dao)率的(de)特性,在(zai)(zai)這些新興場(chang)(chang)景中成(cheng)為了傳統金屬或(huo)陶瓷散(san)熱(re)材(cai)料(liao)的(de)完美替(ti)代(dai)。褚(chu)教授進(jin)一步補充道,“即使相比(bi)石(shi)(shi)墨(mo)烯這類較(jiao)為先進(jin)的(de)散(san)熱(re)材(cai)料(liao),金剛石(shi)(shi)薄(bo)膜也具有獨一無二的(de)優勢。它能(neng)很好地(di)解決石(shi)(shi)墨(mo)烯縱(zong)向導(dao)熱(re)差的(de)問題,此外由(you)于金剛石(shi)(shi)薄(bo)膜本身不導(dao)電,在(zai)(zai)使用時(shi)也不需(xu)要像(xiang)石(shi)(shi)墨(mo)烯那樣添加額外的(de)絕緣層”。
對于金剛(gang)(gang)石(shi)薄膜(mo)(mo)材(cai)料(liao)目前還未得(de)到(dao)大(da)規模商業的(de)(de)(de)現(xian)(xian)狀,褚(chu)教授表示,“過(guo)往推廣(guang)金剛(gang)(gang)石(shi)薄膜(mo)(mo)材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)主要障礙有(you)兩(liang)個(ge),一是傳(chuan)(chuan)統制備(bei)方(fang)法(fa)(fa)的(de)(de)(de)成(cheng)(cheng)本(ben)難(nan)以降低,二是新(xin)材(cai)料(liao)引入現(xian)(xian)有(you)供(gong)應(ying)鏈(lian)面臨(lin)技術和思維(wei)慣(guan)性,需通過(guo)細分領(ling)域的(de)(de)(de)成(cheng)(cheng)功(gong)案(an)(an)例驗證(zheng)其(qi)可用性。”公司獨(du)創的(de)(de)(de)“邊緣暴露(lu)剝離法(fa)(fa)”則(ze)繞過(guo)了金剛(gang)(gang)石(shi)薄膜(mo)(mo)傳(chuan)(chuan)統切割(ge)、刻(ke)蝕、曝光等一系(xi)列技術難(nan)題,能(neng)夠快(kuai)速(su)制備(bei)大(da)面積、超薄、超平整、超柔性的(de)(de)(de)金剛(gang)(gang)石(shi)薄膜(mo)(mo),較行業現(xian)(xian)有(you)方(fang)案(an)(an)大(da)幅(fu)降低生產(chan)成(cheng)(cheng)本(ben),在量(liang)產(chan)環節(jie)的(de)(de)(de)優(you)勢非常顯(xian)著,因(yin)此有(you)望進一步推動金剛(gang)(gang)石(shi)薄膜(mo)(mo)在人(ren)工智能(neng)相關的(de)(de)(de)數(shu)據中心、服務器(qi)、網絡設備(bei)等場(chang)景中的(de)(de)(de)規模化(hua)應(ying)用。
作為第四代半導體核心材料,相比碳化硅等半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料,金剛石(shi)(shi)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料具有(you)超寬禁帶、高(gao)(gao)擊穿場強、高(gao)(gao)載流子(zi)飽和漂(piao)移速度、高(gao)(gao)熱導(dao)率(lv)、高(gao)(gao)電子(zi)遷移率(lv)、化學穩(wen)定性(xing)(xing)(xing)和抗輻(fu)射性(xing)(xing)(xing)等優勢特性(xing)(xing)(xing)。據褚(chu)(chu)教(jiao)授介紹,“除(chu)了熱管理(li)外(wai),金剛石(shi)(shi)材(cai)料還(huan)可用于功率(lv)器(qi)件、超表面光學、高(gao)(gao)能探(tan)測器(qi)、MEMS等眾多領(ling)域。”褚(chu)(chu)教(jiao)授還(huan)透(tou)露,在金剛石(shi)(shi)芯片的摻雜技(ji)術等環節,公司也(ye)有(you)充足(zu)的技(ji)術儲備。
可以說,「鉆耐(nai)科思」首創(chuang)的(de)(de)(de)(de)“邊緣暴露剝離(li)法”為(wei)大規(gui)模制備金剛(gang)石(shi)(shi)薄(bo)(bo)膜(mo)提供了全新的(de)(de)(de)(de)路徑。根據公司規(gui)劃,公司將(jiang)在(zai)近期(qi)啟動(dong)產(chan)品(pin)的(de)(de)(de)(de)小試與自動(dong)化生產(chan)線的(de)(de)(de)(de)搭建(jian),爭取盡快實現高(gao)品(pin)質金剛(gang)石(shi)(shi)薄(bo)(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)批量生產(chan),配合潛在(zai)客(ke)戶(hu)共同開發金剛(gang)石(shi)(shi)薄(bo)(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)應用(yong)場(chang)景,攜手(shou)推動(dong)金剛(gang)石(shi)(shi)半導體產(chan)業的(de)(de)(de)(de)發展。
投資人說:
海(hai)明潤總經理(li)郭大萌(meng)表(biao)示,本次(ci)投資(zi)是公司(si)(si)在技術層(ceng)面的(de)戰略舉措(cuo)。依托(tuo)被投企業在金剛石薄膜制備的(de)核心優(you)勢,與我(wo)司(si)(si)超硬材料(liao)應用的(de)深厚積(ji)淀,雙(shuang)方深度融合。此舉將(jiang)加速打(da)通(tong)“材料(liao)-外延-器件(jian)”全鏈條(tiao),率先(xian)實(shi)現(xian)第(di)四代(dai)半導體在極端(duan)功(gong)率、高頻及散熱場景的(de)產(chan)業化突破,構(gou)建產(chan)業新生態(tai)。
領匯創投副總經(jing)理(li)張明星表示,褚教授的(de)研究成(cheng)(cheng)果(guo)不僅具(ju)備突出的(de)創新性和首創性,更(geng)(geng)能(neng)夠以更(geng)(geng)高(gao)效率、更(geng)(geng)低成(cheng)(cheng)本解決實際問題,希望公司把(ba)握當(dang)下發(fa)展(zhan)機遇加速成(cheng)(cheng)長,為(wei)產業(ye)的(de)轉(zhuan)型升級(ji)注入(ru)新動(dong)能(neng)。引(yin)領式創新將在推動(dong)經(jing)濟高(gao)質量發(fa)展(zhan)中發(fa)揮關鍵作用(yong),市(shi)場(chang)應(ying)更(geng)(geng)加重視高(gao)校和科(ke)研院(yuan)所科(ke)技成(cheng)(cheng)果(guo)的(de)轉(zhuan)移轉(zhuan)化,促進(jin)創新成(cheng)(cheng)果(guo)更(geng)(geng)快更(geng)(geng)好轉(zhuan)化為(wei)現實生產力。