隨著半導體產業的迅猛發展，金剛石因其(qi)(qi)優異的(de)(de)導熱性(xing)能、超寬(kuan)的(de)(de)禁帶(dai)結(jie)構以及較高的(de)(de)載流(liu)子遷移率(lv)，逐漸成為業界備受矚目的(de)(de)半(ban)導體材(cai)料之一。然而，金剛石(shi)的(de)(de)加(jia)工難度(du)一直是(shi)制約其(qi)(qi)廣泛應(ying)用的(de)(de)關(guan)鍵因素。

       近(jin)日，大(da)族(zu)半導體在金剛(gang)(gang)石(shi)切(qie)片領域取得了重(zhong)要(yao)的技(ji)術(shu)突破，推出了QCBD激光(guang)切(qie)片技(ji)術(shu)及其相關設備，實現了金剛(gang)(gang)石(shi)高質量低損傷高效率(lv)激光(guang)切(qie)片。這(zhe)一成果標志著激光(guang)切(qie)片技(ji)術(shu)在金剛(gang)(gang)石(shi)材料加工中取得重(zhong)要(yao)進展，填(tian)補了國內在該領域的技(ji)術(shu)空白。

       通(tong)過對(dui)激光(guang)(guang)能量的(de)精確調(diao)控與光(guang)(guang)束形(xing)態的(de)調(diao)制，大(da)族半導體克服了(le)金(jin)剛石解理面{111}與切片方向{100}之間較大(da)角度帶來(lai)的(de)加工(gong)(gong)難題，實現了(le)晶錠的(de)高精度、低損(sun)傷剝離。根據(ju)大(da)族半導體QCB研究實驗室研究數據(ju)顯示，使用該技術，剝離后粗糙度Ra低至(zhi)3μm以內，激光(guang)(guang)損(sun)傷層(ceng)可大(da)幅度降(jiang)低至(zhi)20μm。這項技術突破將大(da)幅降(jiang)低金(jin)剛石的(de)加工(gong)(gong)成本，推動其在電子、光(guang)(guang)學等高端領域的(de)廣(guang)泛(fan)應用。

       大族半導體研發的金剛石激光切(qie)片技(ji)術(shu)，憑借卓越的加(jia)工(gong)(gong)效(xiao)(xiao)能，已(yi)成(cheng)功攻克半導(dao)體材料(liao)加(jia)工(gong)(gong)技(ji)術(shu)領域(yu)的眾(zhong)多棘手難題。這一技(ji)術(shu)的突破，不僅顯著(zhu)加(jia)速(su)了(le)(le)生產(chan)流程(cheng)，將(jiang)生產(chan)效(xiao)(xiao)率(lv)推向新(xin)高，而且精細入微的工(gong)(gong)藝確(que)保了(le)(le)產(chan)品質量的飛(fei)躍式(shi)提升，同時，通過優化生產(chan)流程(cheng)，有(you)效(xiao)(xiao)降低了(le)(le)制造成(cheng)本，展現(xian)出了(le)(le)極為廣闊的市場應用前景，預(yu)示(shi)著(zhu)其在未(wei)來的高科(ke)技(ji)制造領域(yu)中必將(jiang)占據舉足輕重的地(di)位，引領半導(dao)體材料(liao)加(jia)工(gong)(gong)技(ji)術(shu)邁向一個全新(xin)的發展階段。